苏州烯晶半导体取得一种场效应晶体管气压传感器专利，使气压传感器具备优良的灵敏度
0次浏览 发布时间：2025-05-03 08:32:00
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，苏州烯晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种场效应晶体管气压传感器”的专利，授权公告号CN 222800230 U，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请涉及一种场效应晶体管气压传感器，包括衬底层、碳纳米管层、在所述衬底层的一侧设置有碳纳米管层、源电极层、栅电极层、漏电极层以及氧化锌层，所述碳纳米管层背离所述衬底层的一侧设置有源电极层、栅电极层和漏电极层，所述栅电极层背离所述碳纳米管层的一侧通过EBL生长一层氧化锌层，所述氧化锌层被设置为传感器探针，用于探测待测对象，所述栅电极背离所述碳纳米管层的一侧设置有锯齿结构。本申请在FET器件的栅电极上通过EBL生长一层氧化锌层，可实现气压传感器的功能，由于氧化锌层材料的稳定型，以及独特的锯齿结构，使得气压传感器具备优良的灵敏度。
天眼查资料显示，苏州烯晶半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1314.21022万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州烯晶半导体科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自金融界
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